- 同级最佳的RDS(on)对比温度

- 超低栅极电阻，最大限度减小开关能耗

- 出色的最大开关频率

- 卓越的稳健性和出色的短路耐受性

美高森美功率产品组总经理Marc Vandenberg表示：“美高森美的1200V SiC MOSFET建立了全新的性能基准，我们利用公司内部的SiC制造能力，继续扩大SiC产品组合，为客户提供创新的大功率解决方案。”

美高森美的1200V SiC MOSFET器件的额定电阻为 80mΩ和 50mΩ，通过同时提供行业标准TO-247和SOT-227封装，可为客户提供更多的开发灵活性 ：

- APT40SM120B 1200V、80mΩ、40A、TO-247 封装

- APT40SM120J 1200V、80mΩ、40A、SOT-227封装

- APT50SM120B       1200V、50mΩ、50A、TO-247封装

- APT50SM120J       1200V、50mΩ、50A、SOT-227封装